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本文標(biāo)題:"熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術(shù)簡(jiǎn)介"

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熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術(shù)簡(jiǎn)介

 
    現(xiàn)代的切克勞斯基拉單晶工藝是在1917年切克勞斯基發(fā)明的金
屬單晶生長(zhǎng)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展而成的。它的基本程序是,將頂端夾有
單晶硅籽晶的夾持桿伸人到含有熔融態(tài)硅的石墨坩堝中,籽晶部分
浸入熔融硅。然后一面旋轉(zhuǎn),一面慢慢地拉出籽晶,一般拉取速度
約為每分鐘幾毫米。整個(gè)過(guò)程必須在氬氣氛保護(hù)下進(jìn)行。圖13—3
示出了切克勞斯基拉晶爐的結(jié)構(gòu)示意圖。該爐可以用射頻(RF)功率
加熱,也可以用一般的電源加熱。在加熱熔化多晶硅過(guò)程中,可以
添加一定量的摻雜雜質(zhì),使生長(zhǎng)的單晶具有設(shè)計(jì)好的n型或P型性質(zhì)
。摻雜的數(shù)量,在單晶棒的徑向截面上是恒定的,但在沿棒的軸向
方向上是有所不同的,好在這種數(shù)量的變化是可預(yù)知的,所以它不
會(huì)對(duì)微電子器件的生產(chǎn)造成嚴(yán)重問(wèn)題。
 
    切克勞斯基工藝生長(zhǎng)的晶體硅純度不是很高,有些時(shí)候,例如
生產(chǎn)功率器件時(shí),因?yàn)樾枰牧暇哂泻芨叩妮d流子遷移率,所以要
求硅有更高的純度,這時(shí)切克勞斯基法已不大適用??梢圆捎玫姆?/div>
法之一是懸浮區(qū)熔技術(shù),它的生產(chǎn)成本較高

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