隨著可攜式電子產(chǎn)品和通訊儀器的快速發(fā)展，都趨向于輕、薄、短、小的特性發(fā)展，所以電子封裝也朝著這方向而努力發(fā)展，

而晶圓級(jí)封裝(WLCSP)因?yàn)檩p薄短小的特性已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在可攜式電子產(chǎn)品上，

預(yù)估其將在未來(lái)成為主流趨勢(shì)，卻因可攜式電子產(chǎn)品可以隨身攜帶或移動(dòng)，造成其破壞失效的狀況發(fā)生可能多到不計(jì)其數(shù)，

而且其使用環(huán)境也不盡然一樣，但大多可歸咎于錫球接點(diǎn)很容易在動(dòng)態(tài)負(fù)荷下產(chǎn)生損壞，進(jìn)而造成電子元件無(wú)法正常運(yùn)作，所以對(duì)封裝體進(jìn)行反覆負(fù)載的研究愈來(lái)愈受重視。

 

 

本文對(duì)晶圓級(jí)封裝體結(jié)構(gòu)分為鈍化層(Passivation)、重新佈線(xiàn)層(RDL)、凸塊底層金屬(UBM)等參數(shù)，將各組不同晶圓級(jí)封裝體進(jìn)行三種可靠度試驗(yàn)，

分別為掉落衝擊試驗(yàn)、彎曲循環(huán)試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn)，并以韋伯分佈表示晶圓級(jí)封裝體的特征壽命，觀察結(jié)構(gòu)對(duì)其壽命週期之影響，

另外以紅染料試驗(yàn)分析失效錫球之分佈位置并推測(cè)最早失效錫球可能出現(xiàn)之地方，

也使用掃描式電子顯微鏡觀察錫球或晶圓級(jí)封裝體上裂縫出現(xiàn)之位置，推論裂縫可能之路徑。

 

三種實(shí)驗(yàn)互相比較之后，以掉落衝擊實(shí)驗(yàn)觀察到晶圓級(jí)封裝體結(jié)構(gòu)與特征壽命有明顯關(guān)系，

以往掉落衝擊常會(huì)造成錫球介金屬(IMC)產(chǎn)生裂縫，而晶圓級(jí)封裝體結(jié)構(gòu)則觀察到其裂縫轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙逾g化層與凸塊底層金屬界面之角落。

 

三種實(shí)驗(yàn)后之晶圓級(jí)封裝體失效錫球位置一致性地分佈于封裝體之角落。

溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)之失效錫球在掃描式電子顯微鏡下，觀察到不同組之失效錫球有著類(lèi)似相同之失效機(jī)制，其裂縫橫切過(guò)錫球，位置在錫球體上靠近封裝體側(cè)。